Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 111391
تاریخ انتشار : 19 مرداد 1387 0:0
تعداد مشاهدات : 11

ارائه مدلی برای بررسی اثر ناخالصیها بر رفتار الکترونیکی نانولوله کربنی

پژوهشگران دانشگاه علم و صنعت موفق به ارائه مدلی برای بررسی اثر ناخالصیها بر رفتار الکترونیکی نانولوله کربنی با طول محدود شدند. به گزارش خبرگزاری مهر، پویا پرتوی آذر مجری طرح در این باره گفت: برای به دست آوردن تصحیح مرتبه اول رسانش در حضور یک تک ناخالصی و برهم کنش الکترونهای رسانش در نانولوله کربنی با ناخالصی از رهیافت اختلالی همراه با نمایش کوانتش دوم برای هامیلتونی کل استفاده شده است. در این روش برهم کنش الکترونها با ناخالصی اثر خود را در نرخ اتلاف انرژی الکترونهای رسانش نشان می دهد. پس از محاسبات نسبتاً ساده اما طولانی می توان به رابطه تصحیح مرتبه اول رسانش (G1) در حضور یک تک ناخالصی رسید. از آنجا که روند گفته شده در بالا قابل اجرا برای ساختارهای فلزی است از میان انواع مختلف نانولوله ها، نانولوله های دسته مبلی (armchair) انتخاب شدند. این نوع نانولوله ها کاندیداهای بسیار خوبی برای نانولوله های فلزی هستند. برای شبیه سازی رفتار نانولوله های کربنی تک دیواره دسته مبلی، ابتدا مدل ذره در جعبه در نظر گرفته و سپس برای نگهداشتن تناوب ساختاری در راستای محور لوله، تصحیحات ریز و دقیقی بر روی آن انجام شده است. نتایج به دست آمده در این تحقیق، روشی نو برای "اسپکتروسکپی" تراز های انرژی در نانولوله های کربنی دسته مبلی ارائه می دهد. علاوه بر این می توان از این روش به setup های آزمایشگاهی رسید و از طریق آن مکان اتمهای کربن روی سطح استوانه ای نانولوله کربنی را با تقریب خوبی تخمین زد. شایان ذکر است که با استفاده از روشهای دقیق تر می توان جزئیات ساختار نواری نانولوله های کربنی را به فیزیکدانان تجربی ارائه داد. جزئیات این پژوهش که از حمایت تشویقی ستاد بهره مند گردیده، در مجله PHYSICS: CONDENSED MATTER در سال 2008 منتشر شده است.