Index
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 126008
تاریخ انتشار : 29 فروردین 1388 0:0
تعداد بازدید : 24

به همت محققان ایرانی

ترانزيستورهاي اثر ميداني حاوي نانولوله يي ساخته شد

پژوهشگران دانشگاه سمنان موفق به ساخت و بررسي شرايط بهينه سازي عملکرد ترانزيستورهاي اثر ميداني ساخته شده از نانولوله هاي كربني شدند... خبرگزاري دانشجويان ايران - تهران: پژوهشگران دانشگاه سمنان موفق به ساخت و بررسي شرايط بهينه سازي عملکرد ترانزيستورهاي اثر ميداني ساخته شده از نانولوله هاي كربني شدند. به گزارش سرويس فن آوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، دکتر علي اصغر اروجي، درباره اين پژوهش گفت: «استفاده از نانولوله هاي کربني با شعاع بزرگتر در اين ترانزيستورها، رسانايي، هدايت خروجي و جريان حالت روشن را افزايش مي دهد.» استاديار دانشگاه سمنان گفت: «هدف، يافتن شرايط بهينه سازي بازدهي ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني است و با ارايه يك مدل خازني براي اين ترانزيستورها، اثر شعاع نانولوله و ضخامت اكسيد گيت بر بازدهي آنها بررسي شده است.» نانولوله ها داراي ساختار نواري متقارن و مستقيم هستند و در ولتاژهاي كم، انتقال در آنها به صورت بالستيك صورت مي گيرد. به علاوه، قراردادن عايق گيت با ثابت دي الكتريك زياد روي نانولوله، به علت عدم وجود باندهاي آويزان در آن، باعث كاهش تحرك حامل ها نمي شود. اين ويژگي هاي منحصر به فرد، نانولوله هاي كربني را به عنوان بهترين جايگزين سيليسيم در ترانزيستورها مطرح کرده است. نتايج اين پژوهش نشان مي دهد كه استفاده از عايق گيت نازك، رسانايي و هدايت خروجي قطعه را افزايش مي دهد و موجب کاهش جريان نشتي مي شود و درنتيجه بهبود اثرات كانال كوچك را به دنبال دارد. همچنين استفاده از نانولوله هايي با شعاع بزرگتر در ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني، اثرات كانال كوچك و افزايش جريان نشتي را به دنبال دارد. اين ترانزيستورها در قطعات الكترونيكي و MEMS کاربردهاي بسياري دارند. به گزارش ستاد ويژه توسعه فن اوري نانو، اين پژوهش در دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان انجام شده و زهرا عارفي نيا ياريگر انجام آن بوده است. جزئيات اين پژوهش نيز در مجله Microelectronics (جلد 40، صفحات 9-5، سال 2009) منتشر شده است.