Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 127898
تاریخ انتشار : 3 خرداد 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 34

به همت پژوهشگران ایرانی

سوئیچ های الکترونیکی پر سرعت ساخته شد

پژوهشگران کشور با طراحی نانو اتصالات گرافنی با قابلیت ایجاد مقاومت دیفرانسیل منفی (قطع و وصل کردن جریان) امکان ساخت سوئیچ های پرسرعت در چیپ های الکترونیکی بر پایه صفحات گرافینی را فراهم کردند...
پژوهشگران کشور با طراحی نانو اتصالات گرافنی با قابلیت ایجاد مقاومت دیفرانسیل منفی (قطع و وصل کردن جریان) امکان ساخت سوئیچ های پرسرعت در چیپ های الکترونیکی بر پایه صفحات گرافینی را فراهم کردند. به گزارش خبرگزاری مهر، دکتر حسین چراغچی - مجری طرح طراحی قطعات الکترونیکی در مقیاس نانومتری با کارایی بالا را از اهداف این تحقیق عنوان کرد و گفت: این پژوهش به دنبال یافتن ساز و کاری برای طراحی نانو قطعه ای الکترونیکی است که در منحنی جریان- ولتاژ آن مقاومت دیفرانسیلی منفی دیده می شود یعنی با افزایش ولتاژ، جریان عبوری از قطعه کاهش می یابد این پدیده منجر به طراحی سوئیچ های الکترونیکی پرسرعت با قابلیت قطع و وصل کردن جریان شده است. وی افزود: در این پژوهش، پدیده شارژ الکترونی که در اثر پتانسیل های الکترواستاتیکی حاصل از برهمکنش الکترونها با یکدیگر و نیز با بارهای تصویری درون الکترودها رخ می دهد به عنوان منبع تشدید کننده این پدیده درنظر گرفته شده است. چراغچی درمورد چگونگی انجام این پژوهش اظهار داشت: روش کار بر اساس فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی و به صورت محاسبات خود سازگار انجام گرفته است به گونه ای که پس از طی چند مرحله خود سازگاری به ازای هر ولتاژ با استفاده از توزیع بار و پتانسیل همگرا شده، ضریب عبور و جریان عبوری از سیستم محاسبه شد این محاسبه کاملا عددی است و روی اتصالات نوارهای گرافنی اعمال می شود. مجری طرح ادامه داد: گرچه برای توضیح این پدیده بنیادی از اتصالات نوارهای گرافنی استفاده شده است اما این رخداد منحصر به این سیستم خاص نیست این پدیده در اتصالات نانو لوله کربنی نیز می تواند رخ دهد.