Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 129565
تاریخ انتشار : 5 تیر 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 33

در راستاي ساخت تجهيزات نانوالکترونيک

افزايش مقاومت مغناطيسي سلول هاي حافظه رايانه توسط محققان ایرانی

محقق دانشگاه پيام نور تهران و پژوهشکده علوم نانو پژوهشگاه دانش هاي بنيادي، طي پژوهشي توانست با بررسي نظري استفاده از فولرين(C60) در ساخت سلول هاي حافظه رايانه، يک پيوندگاه تونل زني با مقاومت مغناطيسي بالا طراحي کند...
خبرگزاري دانشجويان ايران - تهران : محقق دانشگاه پيام نور تهران و پژوهشکده علوم نانو پژوهشگاه دانش هاي بنيادي، طي پژوهشي توانست با بررسي نظري استفاده از فولرين(C60) در ساخت سلول هاي حافظه رايانه، يک پيوندگاه تونل زني با مقاومت مغناطيسي بالا طراحي کند. به گزارش سرويس فن اوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، دکتر عليرضا صفارزاده گفت: «در چندلايه اي هاي مغناطيسي که از روي هم قرار دادن لايه هاي فلزي فرومغناطيس و لايه هاي نيمه رسانا شکل مي گيرند، پديده اي که به مقاومت مغناطيسي تونل زني(TMR) و يا به بيان ساده تر تغيير مقاومت چندلايه يي در اثر ميدان مغناطيسي اعمالي معروف است، شکل مي گيرد. در آزمايش هاي اخير با وارد كردن نانولوله هاي کربني، پل هاي مولکولي يا چند لايه يي هاي خودآرا، ترابرد با اسپين قطبيده از طريق لايه هاي مولکولي ساندويچ شده بين دو لايه فرومغناطيس نشان داده شد. وي خاطرنشان كرد: «دليل عمده استفاده از اين مواد در اتصالات مغناطيسي ناشي از اين واقعيت است که مواد آلي داراي برهمکنش اسپين-مدار و برهمکنش فوق ريز نسبتاً ضعيفي بوده، به طوري که با استفاده از اين مواد مي توان حافظه اسپيني را حتي تا چندين ثانيه حفظ کرد. چنين ويژگي باعث مي شود که اين مواد براي تزريق الکترون با اسپين قطبيده و کاربردهاي ترابرد الکترون در اسپينترونيک مولکولي بسيار ايده آل و مناسب باشند.» صفارزاده، هدف از انجام اين پژوهش را «بررسي نظري امکان استفاده از تک مولکول C60 در دستگاه هاي اسپينترونيک به ويژه ساخت سلول هاي حافظه رايانه ها» معرفي کرد و گفت: «در بين مولکول ها، فولرين، به عنوان يک نيمه رساناي آلي، انتخاب بسيار مناسبي جهت استفاده به عنوان پل مولکولي در پيوندگاه هاي تونلي مغناطيسي است. دليل اين مطلب آن است که پايين ترين اربيتال مولکولي اشغال نشده اش در مقايسه با ديگر مولکول هاي آلي در سطح انرژي پايين تري واقع شده است.» بر اين اساس، در اين پژوهش از يک تک مولکول C60 ساندويچ شده بين دو الکترود فرومغناطيس، به جاي لايه عايق معمول در دستگاه استاندارد TMR، استفاده شده تا امکان طراحي و ساخت يک دستگاه اسپينترونيک تک مولکولي بررسي شود. اين تحقيق که بر تقريب بستگي قوي تک نواري و فرمول بندي تابع گرين نظريه لانداور مبتني است، نشان مي دهد که با استفاده از تک مولکول C60 مي توان مقدار TMR بالايي بدست آورد. نتايج اين پژوهش مي تواند در صنعت نانوالکترونيک براي ساخت سلول هاي حافظه مغناطيسي، حسگرهاي مغناطيسي و به طور کلي ادوات اسپنترونيکي که بر اساس اثر TMR عمل مي کنند، مؤثر واقع شود. به گزارش ستاد ويژه توسعه فن اوري نانو، جزئيات اين تحقيق، در مجله Journal of Applied Physics (جلد104، صفحات123715 -123715-5، سال 2008) منتشر شده است.