Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 135741
تاریخ انتشار : 19 مهر 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 78

به همت پژوهشگران دانشگاه تهران

امکان تولید هارد دیسک نانومتری در کشور فراهم شد

مهندس سامان سالمی زاده گفت: از این میان لایه نازک هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی BaFe12O19 مهمترین کاربرد را در لایه های نازک دارد. این ماده که یک ماده مغناطیسی سخت است محیط مناسبی برای ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالا به شمار می آید... پژوهشگران دانشگاه تهران راهکاری برای ساخت هارد دیسکها و سخت افزارهای ذخیره اطلاعات با خواص مغناطیسی مطلوب ارائه کردند. به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس سامان سالمی زاده یکی از محققان این طرح با بیان اینکه از لایه های نازک مغناطیسی می توان برای ذخیره اطلاعات، جذب امواج میکروویو و سنسور ابزارهای نانومتری استفاده کرد، گفت: از این میان لایه نازک هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی BaFe12O19 مهمترین کاربرد را در لایه های نازک دارد. این ماده که یک ماده مغناطیسی سخت است محیط مناسبی برای ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالا به شمار می آید. وی با اشاره این پروژه تحقیقاتی افزود: در این تحقیق موفق به تهیه لایه های نازک مغناطیسی هگزافریت باریم نانوساختار به روش سل ژل شدیم که دارای خواص مغناطیسی مناسب برای پوشش دهی زیرلایه ها است. سالمی زاده به بیان جزئیات این پژوهش پرداخت و اظهار داشت: در این پژوهش، میزان pH سل، نوع حلال و عامل بازی سل، نسبت مولی Fe/Ba (آهن- باریم) سل، دمای کلسیناسیون (عمل آهکی شدن) لایه نازک و اثر لایه میانی Al2O3 (اکسید آلومینیم) به عنوان پارامترهای موثر در به دست آمدن لایه نازک هگزافریت باریم نانوساختار و تک فاز بررسی شد. همچنین برای بهبود خواص مغناطیسی لایه نازک در جهت عمود بر سطح از لایه میانی Al2O3 استفاده شده است. این محقق لایه نازک نانو ساختار و تک فاز هگزافریت باریم تولید شده را دارای ضخامت 152 نانومتر و اندازه دانه حدود 20 نانومتر دانست و ادامه داد: ماده به دست آمده دارای خواص مغناطیسی بهتری در مقایسه با سایر تحقیقات مشابه است. این برتری به دلیل ساختار نانومتری این ماده است. سالمی زاده تاکید کرد: نتایج این کار می تواند در تولید سخت افزارهای ذخیره اطلاعات مانند هارد دیسک با خواص مغناطیسی مطلوب تر استفاده شود.