Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 162192
تاریخ انتشار : 11 تیر 1391 0:0
تعداد مشاهدات : 38

تلفن هاي همراه ارزان تر و باكيفيت تر با ابتكار دانشمند ايراني و همكارانش

علمي و فناوري - فناوري: تيمي از دانشمندان دانشگاه كاليفرنيا در لس آنجلس با همكاري يك دانشمند ايراني موفق به ساخت قويترين نوسانگرهاي ريزموج نانومقياس با عملكرد بالا در جهان شده اند كه مي تواند به دستگا ه هاي ارتباطي متحرك ارزانتر و به صرفه تر با كيفيت انتقال علائم بسيار بهتر منجر شود. به گزارش سرويس فناوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، تلفن هاي همراه، تبلت هاي واي فاي و ديگر ابزار الكترونيكي امروزي همگي از نوسانگرهاي ريزموج كه دستگاه هاي ريز توليدكننده علائم الكتريكي در حوزه ارتباطات هستند، استفاده مي كنند. براي مثال در يك تلفن همراه، مدارهاي گيرنده و فرستنده حاوي نوسانگرهايي هستند كه علائم فركانس راديويي توليد مي كنند سپس با آنتن تلفن به امواج الكترومغناطيسي ورودي و خروجي تبديل مي شوند. نوسانگرهاي كنوني مبتني بر سيليكون بوده و از بار يك الكترون براي ساخت ريزموج استفاده مي كنند. نوسانگرهاي ساخت دكتر پدرام خليلي اميري و همكارانش اما از چرخش يك الكترون مانند آهنربا استفاده كرده و از چندين مزيت ارزش نمایی در مقايسه با نوسانگرهاي رايج امروزي برخوردارند. اين نوسانگرهاي مبتني بر چرخش تحت حمايت سازمان پروژه هاي تحقيقات پيشرفته دفاعي آمريكا(دارپا) ساخته شده اند كه بر « حافظه دسترسی تصادفی انتقال چرخشي گشتاور مغناطیس مقاومتی (STT-RAM)» تمركز دارد. اين حافظه از پتانسيل زيادي در مقايسه با انواع ديگر حافظه از نظر سرعت و راندمان انرژي برخوردار است. اين دانشمندان دريافتند كه ساختارهاي نانومقياس لايه يي سازنده STT-RAM يك انتخاب عالي براي حافظه بوده كه مي توان آنرا براي نوسانگرهاي ريزموج براي ارتباطات نيز توليد كرد. اين ساختار كه «نانونوسانگرهاي انتقال چرخشي» نام دارد از دو لايه مغناطيسي جدا ساخته شده است. يك لايه از يك جهت ثابت قطب مغناطيسي برخوردار بوده و جهت مغناطيسي لايه ديگر قابل دستكاري براي چرخاندن توسط گذر يك جريان الكتريكي از ميان آن است. اين امر به ساختار اجازه مي دهد تا ريزموجهاي نوسانگر بسيار دقيق توليد كند. دكتر خليلي اميري، از مولفان اين پژوهش و مدير پروژه برنامه های تحقیقاتی دارپا و دانشگاه كاليفرنيا در STT-RAM و منطق غيرفرار اظهار كرد: پيش از اين هيچ نشانه اي از نوسانگر انتقال چرخشي با قدرت خروجي به اندازه كافي بالا و همزمان كيفيت سيگنال خوب كه دو معیارهای اصلی نوسانگر هستند، وجود نداشت كه همين مساله مانع کاربردهای عملی بود. ما توانستيم اين هر دو الزام را در يك ساختار به دست بياوريم. نانونوسانگرهاي انتقال چرخشي آزمايش شده و يك نيروي خروجي بي سابقه نزديك به يك ميكرووات با يك پهناي خط سيگنال باريك 25 مگاهرتز ركوردشكن را به نمايش گذاشت. نيروي خروجي به قدرت سيگنال گفته شده و يك ميكرو وات يك سطح دلخواه براي عملي شدن نانونوسانگرهاي انتقال چرخشي در برنامه هاي كاربردي محسوب مي شود. همچنين يك پهناي خط سيگنال باريك مطابق با يك سيگنال كيفيت بالاتر در يك فركانس خاص است. اين به معني صدا و تداخل كمتر براي يك سيگنال صوتي و ويديويي واضحتر است. اين امر همچنين به معني امكان استقرار كاربران بيشتر در يك باند فركانس خاص است. علاوه بر آن، اين سيستم نانومقياس جديد حدود 10 هزار برابر كوچكتر از نوسانگرهاي سيليكوني امروزي است. نانونوسانگرها به آساني در مدارهاي يكپارچه موجود مانند تراشه هاي رايانه يي قابل تلفيق هستند؛ چرا كه با استانداردهاي طراحي و ساخت كنوني در صنايع دستگاه الكترونيكي و رايانه مطابقت دارد. همچنين از نوسانگرها مي توان در هر دو نوع ارتباطات آنالوگ(صوتي) و ديجيتال(اطلاعات) استفاده كرد كه در اين صورت تلفن هاي هوشمند مي توانند بهره كافي را از آن ببرند.