Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 184142
تاریخ انتشار : 19 خرداد 1395 15:28
تعداد مشاهدات : 327

ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق اختراع شد

ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال اختراع شد.
ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد.

داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، زینب رمضانی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88270 به ثبت رسید.

دکتر اروجی در توضیح این اختراع اظهار کرد: در این اختراع یک ترانزیستور با استفاده از ایجاد یک چاه از جنس سیلیسیم ژرمانیوم نوع P (P-SiGe) در اکسید مدفون ارائه شده است.

این مخترع افزود: هم چنین با استفاده از ویژگی ترکیبی ماده ی سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیوم معایب این گونه ترانزیستورها از جمله اثر خودگرما، ولتاژ شکست پایین و اثر بدنه ی شناور بطور همزمان بهبود داده شده است.

وی تصریح کرد: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده است و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی آن می تواند به عنوان جایگزین مناسب برای ساخت این گونه ترانزیستور ها در تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق پیشنهاد شود.

دکتر اروجی خاطر نشان کرد : از این اختراع می توان در کاربردهای توان بالا و انواع مدارات دیجیتال و آنالوگ مختلف استفاده کرد.


* خبرگزاری ایسنا


نظر شما



نمایش غیر عمومی
تصویر امنیتی :