Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 129594
تاریخ انتشار : 6 تیر 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 22

مشکل ناشي از کوچک شدن نانوتراشه هاي الکترونيکي حل مي شود

خبرگزاري دانشجويان ايران - تهران : محققان ايراني با همکاري پژوهشگران دانمارکي، طي پژوهشي توانستند با استفاده از تجزيه مولکول هاي بي اثر در رشد زيرلايه سيليسيومي در نانوترانزيستورهاي آتي، مشکل بزرگ ناشي از کوچک شدن اين ترانزيستورها را حل كنند. به گزارش سرويس فن آوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، علي بهاري پنبه چوله گفت: «برخلاف روش هايي که تا به حال براي رشد نيتريد سيليسيوم با استفاده از گازهاي NH3 وN2O و NO وجود داشت، در پژوهش حاضر فيلم نيتريد سيليسيوم فرا نازک کمتر از 1 نانومتر، بر زيرلايه سيليسيومي با تجزيه مولکول هاي بي اثر N2 به اتم هاي N رشد داده شده است که اين فرايند مشکلات ناشي از مصرف گازهاي قبلي را ندارد.» عضو هيات علمي دانشگاه مازندران، هدف از انجام اين پژوهش را «يافتن يک گيت دي الکتريک به همراه زيرلايه و الکترودهاي مناسب در نانوترانزيستورهاي آتي» بيان کرد و افزود: «اين نوآوري مي تواند مشکل بزرگ ناشي از کوچک شدگي تراشه هاي الکترونيکي، اپتوالکترونيکي، ذخيره سازهاي اطلاعات در قطعات نانومقياسي حافظه ها و به طور کلي نانوالکترونيک را حل كند.» امکان استفاده از گيت دي الکتريک اکسيد سيليسيوم فرانازک در توليدات آتي نانوترانزيستورها وجود ندارد؛ لذا در پژوهش حاضر، نيتريد سيليسيوم به عنوان يک گيت دي الکتريک براي نانوترانزيستورهاي آتي پيشنهاد شده که نتايج استفاده از اين گيت، حاکي از ويژگي هاي منحصر به فرد اين ماده نسبت به گيت دي الکتريک اکسيد سيليسيوم است. بنابر اعلام ستاد ويژه توسعه فن آوري نانو، جزئيات اين تحقيق که با همکاري علي بهاري پنبه چوله و پروفسور غوبان، پروفسور الشهميري، پروفسور رائو و پروفسور مورگن ولي انجام شده، در مجله Surface Science (جلد602، صفحات 2324–2315، سال 2008) منتشر شده است.