Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 129658
تاریخ انتشار : 7 تیر 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 13

رفع مشکل کوچک شدن نانوتراشه ها با استفاده از تجزیه مولکولی در کشور

محققان کشور با همکاری پژوهشگران دانمارکی طی پژوهشی توانستند با استفاده از تجزیه مولکولهای بی اثر در رشد زیر لایه سیلیسیومی در نانو ترانزیستورهای آتی مشکل بزرگ ناشی از کوچک شدن این ترانزیستورها را حل کنند. به گزارش خبرگزاری مهر، علی بهاری پنبه چوله مجری طرح با اعلام این مطلب گفت: بر خلاف روشهایی که تا به حال برای رشد نیترید سیلیسیوم از گازهای NH3 (آمونیاک) وN2O (اکسید نیتروژن) و NO (نوبلیوم) استفاده می شد در پژوهش حاضر فیلم نیترید سیلیسیوم فرا نازک کمتر از یک نانومتر بر زیر لایه سیلیسیومی با تجزیه مولکولهای بی اثر N2 به اتمهای N رشد داده شده است. این فرایند مشکلات ناشی از مصرف گازهای قبلی را ندارد. وی هدف از انجام این پژوهش را یافتن یک گیت دی الکتریک به همراه زیرلایه و الکترودهای مناسب در نانو ترانزیستورهای آتی بیان کرد و افزود: این نوآوری می تواند مشکل بزرگ ناشی از کوچک شدگی تراشه های الکترونیکی، اپتو الکترونیکی، ذخیره سازهای اطلاعات در قطعات نانو مقیاسی حافظه ها و به طور کلی نانو الکترونیک را حل کند. بهاری اظهار داشت: امکان استفاده از گیت دی الکتریک اکسید سیلیسیوم فرا نازک در تولیدات آتی نانو ترانزیستورها وجود ندارد از این رو در این پژوهش نیترید سیلیسیوم به عنوان یک گیت دی الکتریک برای نانو ترانزیستورهای آتی پیشنهاد شد. به گفته عضو هیئت علمی دانشگاه مازندران، نتایج استفاده از این گیت نشان داد این گیت دارا ی ویژگیهای منحصری است.


دیدگاه

تازه ها

آخرین اخبار

پربازدیدترین ها

تبلیغات