Index
ورود کاربر
Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 139668
تاریخ انتشار : 25 آذر 1388 0:0
تعداد مشاهدات : 117

به همت پژوهشگران ایرانی

طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای نانومتری

پژوهشگران دانشگاه فردوسی مشهد شرایط بهینه ای را برای طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای نانومتری ارائه کرداند...
پژوهشگران دانشگاه فردوسی مشهد شرایط بهینه ای را برای طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای نانومتری ارائه کرداند. به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس حمیدرضا رضایی ده سرخ مجری طرح با بیان اینکه کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش سرعت، دقت، کارایی و کاهش سطح اشغالی ترانزیستور می شود، گفت: از سوی دیگر کوچک شدن ابعاد باعث افزایش میدانهای الکتریکی عمودی و افقی در ترانزیستورهای MOS می شود از این رو مدارات با ابعاد نانومتر به دنیای جدید در الکترونیک تبدیل می شوند. بنابراین لازمه یک طراحی دقیق و بهینه، شناختن این دنیای جدید است. یکی از مهمترین تفاوتهای فناوری نانومتری با فناوریهای قدیمی، غالب شدن پدیده اشباع سرعت در ترانزیستور MOSFET است. وی با تاکید بر اینکه در این پژوهش موفق به یافتن برخی شرایط بهینه به منظور طراحی تقویت کننده عملیاتی برای استفاده در فناوری ترانزیستورهای نانومتری شدیم، افزود: تقویت کننده های عملیاتی یکی از پرکاربردترین اجزای الکترونیک آنالوگ محسوب می شوند. در بسیاری از کاربردها، طراحی یک تقویت کننده عملیاتی بهینه، نیازمند داشتن رابطه دقیق برای نشست (Settling) آن است. رضایی ادامه داد: در این تحقیق همچنین توانستیم علاوه بر تحلیل، یک رابطه بسته برای نشست (شامل نشست خطی و غیرخطی تقویت کننده عملیاتی) ارائه کنیم. مجری طرح به اهمیت این پژوهش اشاره کرد و گفت: در حقیقت این قسمتی از پژوهش بزرگتری است که برای بهینه سازی مبدلهای آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین (Pipeline) در فناوری نانومتری به کار می رود. برای این منظور لازم است که نشست تقویت کننده عملیاتی در این فناوری بررسی شود. بهینه سازی مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین از جنبه توان مصرفی بسیار حایز اهمیت است چرا که این نوع از مبدل درگیرنده های مخابراتی کاربرد داشته و کاهش توان مصرفی موجب طولانی تر شدن عمر باتری، کاهش هزینه و حجم وسیله مخابراتی می شود.