Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی ذخیره خروجی XML خروجی متنی خروجی PDF
کد خبر : 165790
تاریخ انتشار : 29 آذر 1391 0:0
تعداد مشاهدات : 75

ارائه روشی نوین برای افزایش بازدهی سلول های خورشیدی از سوی محققان ایرانی

علمي و فناوري - فناوري: پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری پژوهشگرانی از دانشگاه های جامای اسپانیا و ‏توکیوی ژاپن در یک کار تحلیلی، میزان ولتاژ در سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی را مورد بررسی قرار دادند و موفق به ارائه ‏روش هایی جهت افزایش بازدهی این سلول ها شدند.‏ به گزارش پایگاه اطلاع رسانی دستاوردهای انقلاب اسلامی به نقل از سرویس فناوری ایسنا، تاکنون در حوزه سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی اکثر محققان دنباله رو تحقیقات انجام شده در ‏زمینه سلول های خورشیدی حساس شده با رنگدانه بوده اند که این امر به دلیل تشابه این دو گونه از سلول ها است. به گفته ‏دکتر محمود صمدپور، یکی از محققان این طرح، در این مقاله تحقیقی نشان داده شد که تفاوت های اساسی بین این دو ‏گونه از سلول وجود دارد و رویکردهای جدیدی برای افزایش بازدهی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی ‏ارائه شده است.‏ این تحقیقات که توسط پنج تن از محققان دانشگاه های صنعتی شریف، جامای اسپانیا و توکیوی ژاپن انجام شده ‏است، در حوزه هایی مربوط به انرژی با استفاده از سلول های خورشیدی می تواند کاربرد داشته باشد.‏ دکتر محمود صمدپور، فارغ التحصیل دکتری نانوفیزیک دانشگاه صنعتی شریف، در این باره گفت: به منظور تحقق ‏هدف خود در این موضوع، ابتدا تیم ما به مرور مقالات و تعریف مساله حل نشده پرداخت که در نهایت امر به ‏برنامه ریزی مناسبی برای انجام این کار تحقیقاتی دست پیدا کردیم. این کار که حاصل تحقیقات تجربی و تئوری شش ماهه ‏تیم حاضر است، توانسته با تحلیل نتایج بدست آمده، روش های نوینی برای افزایش بازدهی سلول های خورشیدی ‏حساس شده با نقاط کوانتومی ارائه کند. به گفته صمدپور، این تیم با استفاده از این تحقیقات توانسته است بخشی از ‏مشکلات افت ولتاژ در سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی را بر طرف کنند. همچنین در این کار روش ‏جدیدی برای افزایش بازدهی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی و راهکاری جهت افزایش ولتاژ ارائه ‏شده است.‏ فناوری نانو در این کار تحقیقاتی نقش بسزایی داشته و به گفته دکتر صمدپور باعث افزایش بازدهی سلول های ‏خورشیدی شده است. وی در توضیح مکانیزم آن نیز خاطرنشان کرد: به واسطه ساختارهای نانومتری به کار رفته در آند سلول، ‏سطح موثر آن به طور چشم گیری افزایش یافته است.‏ در این تحقیقات، دکتر اعظم ایرجی زاد از پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه صنعتی شریف، دکتر ‏نیما تقوی نیا از دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، دکتر ایوان از دانشکده فیزیک دانشگاه جاما کشور اسپانیا و دکتر ‏تویودا از دانشگاه توکیو ژاپن همکاری کرده اند. نتایج این کار تحقیقاتی در مجله ‏«Electrochimica Acta‏» (جلد 75، 30 جولای سال 2012) منتشر شده است. ‏‎


دیدگاه

تازه ها

آخرین اخبار

پربازدیدترین ها

تبلیغات